在SiC MOSFET于新能源汽車(chē)主驅(qū)領(lǐng)域快速實(shí)現(xiàn)上量應(yīng)用后，AI數(shù)據(jù)中心電源成為下一個(gè)爆發(fā)式增長(zhǎng)市場(chǎng)。近日，芯聯(lián)集成（688469）發(fā)布全新碳化硅G2.0技術(shù)平臺(tái)，該平臺(tái)采用8英寸更先進(jìn)制造技術(shù)，達(dá)到全球領(lǐng)先水平，劍指新能源汽車(chē)與AI數(shù)據(jù)中心兩大熱門(mén)領(lǐng)域。

碳化硅G2.0技術(shù)平臺(tái)通過(guò)對(duì)器件結(jié)構(gòu)與工藝制程進(jìn)行雙重優(yōu)化，達(dá)成“高效率、高功率密度、高可靠”的核心目標(biāo)，全面覆蓋電驅(qū)與電源兩大應(yīng)用場(chǎng)景。

在電驅(qū)領(lǐng)域，芯聯(lián)集成碳化硅G2.0電驅(qū)版優(yōu)勢(shì)盡顯。其憑借更低的導(dǎo)通損耗與優(yōu)異的開(kāi)關(guān)軟度，使功率密度提升20%。這一提升可顯著增強(qiáng)新能源汽車(chē)主驅(qū)系統(tǒng)的動(dòng)力輸出，優(yōu)化能效表現(xiàn)，為整車(chē)?yán)m(xù)航提升提供關(guān)鍵支撐，讓新能源汽車(chē)在動(dòng)力與續(xù)航方面有更出色的表現(xiàn)。

電源場(chǎng)景中，芯聯(lián)集成碳化硅G2.0電源版同樣表現(xiàn)卓越。它針對(duì)性地優(yōu)化寄生電容設(shè)計(jì)，并通過(guò)封裝優(yōu)化強(qiáng)化散熱，開(kāi)關(guān)損耗降低高達(dá)30%。同時(shí)，兼具強(qiáng)化的動(dòng)態(tài)可靠性設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了電源轉(zhuǎn)換效率與系統(tǒng)功率密度的大幅提升。這種性能提升完美適配SST、HVDC等AI數(shù)據(jù)中心電源及車(chē)載OBC電源需求，無(wú)論是在數(shù)據(jù)中心穩(wěn)定供電，還是車(chē)載電源高效運(yùn)作上，都能發(fā)揮重要作用。

此次芯聯(lián)集成發(fā)布的碳化硅G2.0技術(shù)平臺(tái)，以其創(chuàng)新性的技術(shù)優(yōu)化，為新能源汽車(chē)主驅(qū)、車(chē)載電源及AI數(shù)據(jù)中心電源等廣闊市場(chǎng)帶來(lái)新的發(fā)展動(dòng)力，有望在這兩大熱門(mén)領(lǐng)域掀起新的變革，推動(dòng)行業(yè)向更高效率、更高功率密度、更可靠的方向發(fā)展。