美國首片英偉達Blackwell芯片量產(chǎn)下線

當?shù)貢r間10月17日,在美國亞利桑那州鳳凰城附近的臺積電Fab 21晶圓廠,出現(xiàn)了一個令行業(yè)矚目的場景:英偉達(NVIDIA)首片美國本土制造的Blackwell芯片晶圓成功下線,這意味著美國首片英偉達Blackwell芯片正式量產(chǎn),全球首款在美國生產(chǎn)的AI核心芯片也由此步入量產(chǎn)階段。當天,英偉達CEO黃仁勛親自現(xiàn)身,與臺積電運營副總裁一同在晶圓上簽名,黃仁勛更是激動地稱這是“歷史性時刻” 。

此次量產(chǎn)的晶圓,基于臺積電4納米制程工藝打造,是英偉達最新一代Blackwell GPU的關(guān)鍵部分。盡管目前僅處于晶圓制造階段,后續(xù)還需運往中國臺灣進行先進封裝,但在美國本土完成前道工藝,無疑是美國政府推動制造業(yè)回流計劃的重要成果。

Blackwell作為英偉達迄今最先進的AI芯片與超級計算平臺,采用臺積電4NP工藝制造,由Blackwell GPU、Grace CPU、NVLink交換機等構(gòu)成,擁有2080億個晶體管,是前代Hopper芯片的2.5倍以上。它還配備192GB HBM3E顯存,支持第五代NVLink技術(shù),引入了多項突破性創(chuàng)新,性能表現(xiàn)卓越。比如在2024年3月18日英偉達于加州圣何塞舉行的GTC大會上,展示的GB200超級芯片,就可為大模型推理負載提供30倍性能提升,同時大幅降低成本和能耗。

自2020年臺積電宣布投資120億美元在亞利桑那州建廠后,逐步將北美布局升級為長期戰(zhàn)略。如今,該項目總投資額已擴大至650億美元,規(guī)劃建設(shè)三座晶圓廠。第一座采用4nm工藝的工廠已實現(xiàn)量產(chǎn);第二座3nm工廠雖曾因供應(yīng)鏈和人才調(diào)配問題推遲至2028年投產(chǎn),但近期進度加快;第三座計劃用于生產(chǎn)2nm乃至更先進的A16制程芯片,預(yù)計2029至2030年間投入運營。

從市場采購數(shù)據(jù)來看,2024年全球前四云服務(wù)提供商共采購130萬片Hopper架構(gòu)芯片,而2025年,它們對Blackwell芯片的采購量達到360萬片。黃仁勛還透露,公司正全力生產(chǎn)Blackwell,下半年將過渡到Blackwell Ultra。按照產(chǎn)品路線圖,英偉達計劃以“一年一更”的節(jié)奏快速迭代AI芯片架構(gòu)。

盡管當前亞利桑那州缺乏配套的先進封裝能力,依賴海外完成最終封裝環(huán)節(jié),但這并未影響本次下線的戰(zhàn)略意義。此次美國首片英偉達Blackwell芯片量產(chǎn)下線,不僅對英偉達意義重大,也將對全球AI產(chǎn)業(yè)格局產(chǎn)生深遠影響。

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