800v碳化硅平臺(tái)在成本控制方面面臨著諸多挑戰(zhàn)。一方面，碳化硅本身成本高昂，現(xiàn)階段其成本高于硅基IGBT 3-5倍，使得采用該平臺(tái)成本大幅提升，這也是目前僅有高端車型應(yīng)用800V高壓系統(tǒng)的主因。另一方面，碳化硅產(chǎn)量低、生長速度慢、良品率低，導(dǎo)致整體成本居高不下。盡管未來隨著產(chǎn)能釋放、技術(shù)升級(jí)等成本有望降低，但當(dāng)下成本控制仍是一大難題 。

從材料替換角度看，將硅基IGBT升級(jí)為碳化硅材料，成本會(huì)直接提升兩三倍。要知道，IGBT成本最高可占整車制造成本的10%，如此一來，使用碳化硅材料后制造成本占比過高，讓多數(shù)車企在成本控制的考量下，對高壓超充望而卻步。

在生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)，雖然降低碳化硅成本可通過提高生產(chǎn)規(guī)格、單位面積電流能力和提升良率來實(shí)現(xiàn)，但實(shí)際操作困難重重。目前中國市場雖增長迅速，可在晶圓層面，國產(chǎn)晶片與國際品牌存在明顯差距，在性能、技術(shù)迭代速度和成本等方面，國內(nèi)面臨較大挑戰(zhàn)，這無疑給800v碳化硅平臺(tái)成本控制增加了難度。

另外，盡管SiC Mosfet應(yīng)用能帶來續(xù)航提升、冷卻系統(tǒng)優(yōu)化等降低成本的可能性，且未來隨著SiC應(yīng)用規(guī)模擴(kuò)大成本有望降低?？僧?dāng)下市場規(guī)模尚未完全打開，規(guī)模效應(yīng)難以充分發(fā)揮，成本控制效果也就難以立竿見影。

綜上所述，800v碳化硅平臺(tái)要實(shí)現(xiàn)有效的成本控制，需要在提升碳化硅生產(chǎn)技術(shù)、擴(kuò)大市場規(guī)模、優(yōu)化生產(chǎn)制造等多方面發(fā)力，突破材料成本、生產(chǎn)制造等諸多障礙，逐步降低成本，才能讓這一先進(jìn)技術(shù)在更多車型上得以廣泛應(yīng)用。