比亞迪芯片的生產(chǎn)工藝具有多方面的特點(diǎn)。

首先，在制程技術(shù)上，比亞迪 7nm 芯片采用先進(jìn)的 7nm 制程，相較于傳統(tǒng)制程，能在有限空間內(nèi)集成更多晶體管，提供更高計(jì)算能力和更精確信號(hào)處理能力，性能強(qiáng)大且功耗更低。

其還具有較高集成度和穩(wěn)定性，通過高度集成設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)更多功能集成，提供更多接口和擴(kuò)展能力，提升汽車智能化水平。穩(wěn)定性能保證車輛在復(fù)雜環(huán)境正常運(yùn)行，給用戶可靠體驗(yàn)。

在封裝技術(shù)方面，比亞迪發(fā)明的芯片封裝結(jié)構(gòu)，在引線框架上設(shè)置有半蝕刻凹槽。引線框架通過結(jié)合材與芯片以及功率引腳連接時(shí)，結(jié)合材可保護(hù)于半蝕刻凹槽內(nèi)不溢出，使引線框架與芯片上表面以及功率引腳緊密貼合，保證較高的引線框架平整度，避免后續(xù)與塑封模具表面貼合不緊、產(chǎn)生溢料的問題，減少去溢料和研磨等復(fù)雜工藝。

此外，比亞迪在芯片生產(chǎn)工藝上還有技術(shù)創(chuàng)新。比如在整車智能方面，提出整車智能戰(zhàn)略，首創(chuàng)璇璣架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)電動(dòng)化與智能化高效融合。

在芯片制程上，首度官宣基于 3nm 制程的座艙芯片和最高算力 2000TOPS 的智駕芯片。自主開發(fā)的 IGBG6.0 車規(guī)芯片采用 90 納米工藝，引入全新高密度溝槽柵技術(shù)，關(guān)鍵性能指標(biāo)提升，穩(wěn)定性突破。

而且，比亞迪半導(dǎo)體擁有一體化經(jīng)營(yíng)全產(chǎn)業(yè)鏈，堅(jiān)持自主研發(fā)創(chuàng)新，垂直整合策略具備獨(dú)特靈活性與競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，在功率半導(dǎo)體等關(guān)鍵芯片上持續(xù)突破。