PVD鍍膜靶材應用在哪些方面?與CVD鍍膜有什么區(qū)別?
2023-09-21 22:38:34
作者:蔡金盛
PVD:\r\n用物理方法(如蒸發(fā)、濺射等),使鍍膜材料汽化在基體表面,沉積成覆蓋層的方法。\r\nCVD:\r\n用化學方法使氣體在基體材料表面發(fā)生化學反應并形成覆蓋層的方法。
一,從方式看區(qū)別 CVD是化學氣相沉積的方式。PVD是物理氣相沉積法的方式。二,薄厚溫度 CVD處理的溫度為900℃~1100℃,涂層厚度可達5~10μm。PVD處理的溫度為500℃,涂層厚度為2~5μm,比CVD薄。
與CVD工藝相比,PVD工藝處理溫度低,在600℃以下時對刀具材料的抗彎強度無影響;薄膜內部應力狀態(tài)為壓應力,更適于對硬質合金精密復雜刀具的涂層;PVD工藝對環(huán)境無不利影響,符合現(xiàn)代綠色制造的發(fā)展方向。
CVD技術是化學氣相沉積Chemical Vapor Deposition的縮寫。
CVD可以涂的更厚一點,PVD相對就薄很多。但CVD的涂層元素有限。
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