**三安光電碳化硅芯片首搭理想汽車，高壓平臺(tái)迎關(guān)鍵突破**

11月27日，湖南三安半導(dǎo)體在長沙宣布其碳化硅（SiC）主驅(qū)芯片正式搭載于理想汽車高壓平臺(tái)車型，標(biāo)志著國產(chǎn)車規(guī)級功率半導(dǎo)體在高端電動(dòng)車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)里程碑式突破。此次合作基于雙方2022年合資成立的蘇州斯科半導(dǎo)體，其全橋功率模塊已于今年一季度量產(chǎn)下線，為理想純電車型的高效電驅(qū)系統(tǒng)提供核心支撐。

**技術(shù)迭代驅(qū)動(dòng)效能躍升**

三安光電此次上車的1200V 13mΩ SiC MOSFET為第三代車規(guī)級產(chǎn)品，較前代16mΩ版本導(dǎo)通損耗降低18.75%，顯著提升主驅(qū)逆變器效率。這一技術(shù)突破源于元胞結(jié)構(gòu)優(yōu)化，通過降低導(dǎo)通電阻與品質(zhì)因數(shù)（FoM）的乘積，實(shí)現(xiàn)開關(guān)效率與散熱性能的同步提升。在理想i8等高壓平臺(tái)車型中，該芯片與自研功率模塊協(xié)同工作，助力電驅(qū)系統(tǒng)續(xù)航增加30公里，并支持300千瓦以上超快充功率，10分鐘補(bǔ)能500公里。

**垂直整合重塑供應(yīng)鏈格局**

理想汽車通過自建蘇州半導(dǎo)體基地與常州電驅(qū)工廠，完成從碳化硅芯片到電機(jī)總成的全鏈路布局。其整車電動(dòng)產(chǎn)品負(fù)責(zé)人唐華寅透露，2025年推出的純電車型將全系應(yīng)用該技術(shù)，結(jié)合5C電池與低風(fēng)阻設(shè)計(jì)，綜合續(xù)航達(dá)成率領(lǐng)先行業(yè)。三安光電則同步擴(kuò)充產(chǎn)能，目前6吋SiC月產(chǎn)能達(dá)1.6萬片，8吋襯底及外延產(chǎn)線加速爬坡，為后續(xù)800V高壓平臺(tái)規(guī)?；瘧?yīng)用儲(chǔ)備產(chǎn)能。

**國產(chǎn)替代進(jìn)入深水區(qū)**

此次合作凸顯車企與半導(dǎo)體企業(yè)的深度綁定趨勢。三安光電此前已為十余家Tier 1及整車廠送樣SiC器件，而理想汽車通過合資模式鎖定核心芯片供應(yīng)，規(guī)避海外供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)。行業(yè)分析指出，碳化硅主驅(qū)芯片的國產(chǎn)化上車，將加速800V高壓平臺(tái)普及，未來三年全球車用SiC市場規(guī)模有望突破百億美元。

隨著理想首款純電SUV即將上市，三安光電的技術(shù)落地或?qū)⒊蔀橹袊妱?dòng)車產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的范本，推動(dòng)高端功率半導(dǎo)體從“國產(chǎn)替代”邁向“全球競逐”新階段。